SIA417DJ-T1-E3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  SIA417DJ-T1-E3
• Производитель
  Vishay Intertechnology
• Описание
  Vishay Intertechnology SIA417DJ-T1-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 8 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 5 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 23 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PowerPAK SC-70-6L Fall Time: 45 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.5 W Rise Time: 25 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 80 ns Part # Aliases: SIA417DJ-E3
• Количество страниц
  7 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  107,19 KB

SIA417DJ-T1-E3 datasheet скачать

SIA417DJ-T1-E3 datasheet